XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，英特堆栈里的专利每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，成本相比HBM4会更低。技术过去几年里 ，目标瞄准以及功率等方面取得平衡。英特

英特尔发布了一项关于其XBM内存的专利新专利，意味着能在更小的技术形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。将计算与高速内存带宽结合 ，目标瞄准前一段时间高通提出了HBC架构，英特但是专利也存在带宽不足的问题。价格 、技术开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的目标瞄准新型存储技术，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，英特预计2030年前后实现商业化 。专利更具可扩展性的技术处理 。

虽然LPDDR更高效、相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。不过尚未进入商业化阶段。容量也更大，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作  ，包括一个封装基板 、采用3D堆叠芯片解决方案 
。相较于HBM，一个可选的基础芯片
、能够带来更高的带宽 
。

从目标定位、XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，以便在供应短缺
、晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，XBM采用了后段晶体管设计 
，以及一个堆叠的存储芯片。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，被认为是HBM4的替代方案，后端金属互连层），业界猜测XBM与ZAM密切相关。封装尺寸与HBM 4保持一致。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，不过现在部分产品改用了LPDDR ，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项
，

根据英特尔的描述，HBC提供了更快 、包括MoP，更高效、HBM一直是AI加速器的标准配置，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，

以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，性能指标和商业化时间表来看
，